三星3nm GAA工艺研发进度加快 实现量产指日可待

虽然目前来看，下一代芯片普遍依然采用5nm工艺打造，但是厂商却一直在耗费巨资开发3nm工艺，其中台积电就表示将要在明年量产3nm工艺。

不过，消息称台积电依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，并且还成功流片，距离实现量产更近了一步。

据韩媒Business Korea最新报道，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在8月25日的一场网络技术论坛中透露，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布GAA技术商业化。

他直言：“我们开发中的GAA技术，领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术，我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

据悉，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法，与5nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准，当时三星预计3nm GAA工艺会在2020年底试产，2021年量产，但现在显然不能实现这个计划了。

需要注意的是，有消息称三星3nm GAA工艺如果拖到2024年量产，将会直接与台积电2nm竞争，到时候鹿死谁手还犹未可知。